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集束イオンビーム加工装置
(Focused Ion Beam System)
- ・機器名
日本FEI Quanta 3D （平成 20 年度設置）
- ・ 概要
本装置は、ガリウムイオンビームを利用したマイクロ加工を得意とする装置です。本設備を利用してマイクロデバイスの作成、TEMサンプルおよび断面試料作成に利用。
- ・ 仕様
SEM |
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SEM分解能 |
: |
3.5 nm 30 kV(SE) / 15 nm 3 kV(SE) |
加速電圧 |
: |
200 V ～ 30 kV |
倍率 |
: |
20 ～ 1,000,000倍 |
FIB |
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SIM分解能 |
: |
10 nm, 30 kV |
加速電圧 |
: |
5 kV ～ 30 kV |
プローブ電流 |
: |
1 pA ～ 20 nA (12step) |
- ・ 設置場所
1階 107室
- ・ 使用資格
博士前期課程(修士)１年次以上及び教職員で、取扱講習受講者
- ・ 留意事項
- 利用者講習会受講のこと。
